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: 氣體在半導(dǎo)體外延中起到的作用

外延生長(zhǎng)本質(zhì)上是一個(gè)化學(xué)反應(yīng)過(guò)程。用于硅外延生長(zhǎng)的主要?dú)怏w源是氫和氯硅烷，例如四氯化硅（SiCl4）、三氯氫硅（SiHCl3）和二氯硅烷（SiH2Cl2）。此外，硅烷經(jīng)常被用作氣體源以降低生長(zhǎng)溫度。氣源的選擇主要取決于外延層的生長(zhǎng)條件和規(guī)格，其中生長(zhǎng)溫度是選擇氣源的最重要因素。硅外延層的生長(zhǎng)速率和生長(zhǎng)溫度之間的關(guān)系。顯示了兩個(gè)不同的增長(zhǎng)區(qū)域。在低溫區(qū)域（區(qū)域A）中，硅外延層的生長(zhǎng)速率與溫度成指數(shù)關(guān)系，這意味著它們由表面反應(yīng)控制；在高溫范圍（區(qū)域B），生長(zhǎng)速率與溫度幾乎沒(méi)有直接關(guān)系，表明它們受質(zhì)量傳輸
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: 實(shí)驗(yàn)室制取氫氣需要主要幾點(diǎn)

在實(shí)驗(yàn)室中制取氫氣時(shí)，有以下幾點(diǎn)注意事項(xiàng)： 1、最好不用鹽酸，因?yàn)樵摲磻?yīng)放熱，鹽酸會(huì)揮發(fā)出氯化氫氣體，使制得的氣體含有氯化氫雜質(zhì)。Zn+2HCl===ZnCl2+H2↑ 2、鉀、鈣、鈉等金屬與稀酸反應(yīng)時(shí)，會(huì)優(yōu)先置換出水中的氫并生成相應(yīng)的堿，且反應(yīng)過(guò)于劇烈 3、選取的金屬應(yīng)與酸反應(yīng)速率適中，產(chǎn)生氣泡均勻 4、不能使用硝酸或濃硫酸，因?yàn)檫@兩種酸具有強(qiáng)氧化性，反應(yīng)將會(huì)生成NO2或SO2
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: 標(biāo)準(zhǔn)氣體組分的相容性

當(dāng)標(biāo)準(zhǔn)的一氧化氮?dú)怏w在氮?dú)庵挟a(chǎn)生時(shí)，當(dāng)高純度氮?dú)夂醒鯕鈺r(shí)，或當(dāng)填充過(guò)程中引入氧氣時(shí)，混合氣體變成NO2/N2。類似的問(wèn)題可以總結(jié)如下： 1.酸性氣體和堿性氣體常見的酸性氣體包括：HCL、H2S、SO、NO2、有機(jī)酸等。，其不能以堿性填充到瓶子中，例如NH3和有機(jī)胺； 2.還原氣體和氧化氣體不相容，不能裝在瓶子里，如H2S和SO2、H2S和NO2、H2和Cl2等。 3.易燃或自燃?xì)怏w和氧化氣體如果可燃?xì)怏w和氧化氣體填充到同一個(gè)氣瓶中，超過(guò)爆炸下限或最低氧氣要求，則存在爆炸風(fēng)險(xiǎn)。碳?xì)浠?/div> 更多 +

: 三氯氫硅還原法制取高純硅的化學(xué)原理

SiHCl3的合成第一步：由硅石制取粗硅硅石（SiO2）和適量的焦炭混合，并在電爐內(nèi)加熱至1600~1800℃ 可制得純度為95%~99%的粗硅。其反應(yīng)式如下： SiO2+3C=SiC+2CO（g）↑ 2SiC+SiO2=3Si+2CO（g）↑ 總反應(yīng)式： SiO2+2C=Si+2CO（g）↑ 生成的硅由電爐底部放出，澆鑄成錠。用此法生產(chǎn)的粗硅經(jīng)酸處理后，其純度可達(dá)到99.9%。第二步：SiHCl3的合成 SiHCl3是由干燥的氯化氫氣體和粗硅粉在合成
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: 工業(yè)氣體標(biāo)準(zhǔn)氣體氣瓶的選用

要保證標(biāo)準(zhǔn)氣體的穩(wěn)定性，必須考慮氣瓶材質(zhì)對(duì)所配氣體的影響，不能對(duì)氣體產(chǎn)生吸附、氧化等,在有效期限內(nèi)量值必須穩(wěn)定可靠,標(biāo)準(zhǔn)氣的有效期一般為一年。大多數(shù)常量標(biāo)準(zhǔn)氣體可采用鋼質(zhì)氣瓶充裝，但微量CO、CO2、NO、SO2等微量標(biāo)準(zhǔn)氣體要使用鋁合金氣瓶充裝，對(duì)于含有SO2 、H2S 、NO 、NO2、CL2、NH3、PH3等腐蝕性成份且含量低于10ppm的標(biāo)準(zhǔn)氣體，要用內(nèi)涂層鋼瓶充裝且有效期為3-6個(gè)月。對(duì)同時(shí)含有CO、CO2的標(biāo)準(zhǔn)氣體和含有HF、HCl、CHCl3等鹵代烴的標(biāo)準(zhǔn)氣體也要使用鋁合金瓶。氣瓶
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: 對(duì)于Cl2和HCl標(biāo)準(zhǔn)氣體，為什么濃度10ppm左右時(shí)經(jīng)常測(cè)不出讀數(shù)？

因?yàn)檫@類物質(zhì)易溶于水，比如HCL和水的溶解比例是1：700。當(dāng)其濃度很低時(shí)，盡管氣瓶已進(jìn)行處理，但是減壓閥、管路未經(jīng)過(guò)吹掃、鈍化，這類組分仍會(huì)被吸附。所以這類物質(zhì)都需要用不銹鋼材質(zhì)的減壓閥，并且要吹掃足夠長(zhǎng)的時(shí)間，用標(biāo)氣把管路保壓鈍化2-3個(gè)小時(shí)后再去使用和測(cè)定，這樣才能得到比較準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)。
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: 什么是標(biāo)準(zhǔn)氣體組分的相容性

如果產(chǎn)生氮?dú)庵械牡趸飿?biāo)準(zhǔn)氣體，如果氮?dú)庵泻懈呒兌鹊难鯕饣蛟谔畛溥^(guò)程中帶入氧氣，則混合氣體將為NO2/N2。類似的問(wèn)題可以總結(jié)如下： 1.酸性和堿性氣體常見的酸性氣體包括：HCl、H2S、so NO2、有機(jī)酸等。不能與堿混合，如氨氣和有機(jī)胺裝在氣瓶?jī)?nèi)；還原氣體和氧化氣體不相容，不能裝入一個(gè)氣瓶，如H2S和SO2、H2S和NO2、H2和Cl2等。 3.可燃或自燃?xì)怏w和氧化性氣體如果易燃?xì)怏w和氧化氣體裝在同一個(gè)氣瓶?jī)?nèi)，超過(guò)最低爆炸極限或超過(guò)最低耗氧量，則有爆炸風(fēng)險(xiǎn)。由于易燃?xì)怏w、
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: 標(biāo)準(zhǔn)氣體中一些組分的導(dǎo)熱系數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)氣體中一些組分的導(dǎo)熱系數(shù) 組分名稱 4.18*107w(m.k) 組分名稱 4.18*107w(m.k) 0℃ 100℃ 0℃ 100℃ 空氣 5.8 7.5 CHCL3 1.6 2.5 H2 41.6 53.4 CH2CL2 1.6 2.7 He 34.8 51.6 CH3CL 2.2 4.0 N2 5.8 7.5 CH3BR
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: 標(biāo)準(zhǔn)氣體組分的相容性

如果配制氮中一氧化氮標(biāo)準(zhǔn)氣體，如果高純氮中含有氧或充裝中帶入氧，那么混合氣體就變成了NO2/N2了。類似的問(wèn)題總結(jié)為以下三點(diǎn)： 1、酸性氣體和堿性氣體常見的酸性氣體包括：HCL、H2S、SO、NO2、有機(jī)酸等不能和堿性，如NH3及有機(jī)胺充入一個(gè)氣瓶中； 2、還原性氣體和氧化性氣體不相容，不能充裝在一個(gè)氣瓶中，如：H2S和SO2，H2S和NO2，H2和Cl2等。 3、可燃或不可燃?xì)怏w與氧化性氣體如果在爆炸下限以上或最小需氧量以上將可燃?xì)怏w和氧化性氣體充入同一個(gè)氣瓶中，會(huì)有爆炸的危險(xiǎn)。
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: 氣體成分與材料的不相容性

氣體在某種條件下與氣瓶、閥門、管路材料不相容可導(dǎo)致如下危險(xiǎn)： 1、腐蝕 1）濕氣腐蝕例如HCL、CL2在有水存在時(shí)很容易腐蝕鋼瓶，水分的引入可能來(lái)源于客戶使用，沒(méi)有關(guān)閉閥門，也可能在充裝過(guò)程中或水壓檢驗(yàn)中；NH3、SO2、H2S也有類似的腐蝕。即使是干燥的氯化氫和氯氣，高濃度時(shí)也不能儲(chǔ)存在鋁合金氣瓶中。 2）應(yīng)力腐蝕在CO、CO2、H2O共存時(shí)，極易腐蝕碳鋼瓶。因此在制備含有CO和CO2的標(biāo)準(zhǔn)氣體時(shí)，氣瓶要進(jìn)行烘干處理，原料氣體也要使用高純氣體或
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