氫氣是世界上已知的最輕的氣體，在標(biāo)準(zhǔn)大氣壓0℃下，氫氣的密度為0.0899g/L。氫氣最早于16世紀(jì)初被人工合成，當(dāng)時(shí)使用的方法是將金屬置于強(qiáng)酸中。常溫常壓下，氫氣是一種極易燃燒，無色透明、無臭無味的氣體。氫氣最主要還是用作還原劑。氫氣燃燒放出的熱量大，產(chǎn)物無污染，被譽(yù)為清潔能源。由于氫氣的來源困難，因此沒有被作為主要燃料，但科學(xué)界們?nèi)晕捶艞墝?duì)氫氣能源開發(fā)的探索。電漿是游離電子和自由電子流體組成的物質(zhì)的第四種形態(tài)。如極高溫度的氣體就形成電漿，其特點(diǎn)是粒子間有很強(qiáng)的電力。今天紐瑞德特氣為大家?guī)硪恍┡_(tái)灣學(xué)者對(duì)氫氣電漿作出的研究。
 

  利用RF(radio frequency) 來激發(fā)氫氣(純度99.999%)產(chǎn)生電漿，測(cè)定氫氣電漿產(chǎn)生的條紋以及溫度分布情形，亮暗條紋會(huì)在放電管中產(chǎn)生，每一個(gè)亮區(qū)以及暗區(qū)的溫度都不一樣，在每個(gè)亮暗區(qū)有不一樣的寬度。我們討論在不同的亮暗區(qū)分子分佈情形以及溫度來了解氫氣電漿。了解氫氣電漿的溫度之后，利用原位(in situ)光學(xué)偵測(cè)技術(shù)以及接觸角偵測(cè)儀器，來探討氫氣電漿改質(zhì)硅晶片特性。把硅晶片放置于放電管中不同的位置，再改變不同的處理時(shí)間，觀察硅晶片的表面親水特性的改變，來測(cè)定出在不同位置上電漿造成不同的影響。在用接觸角偵測(cè)儀器來偵測(cè)經(jīng)由氫氣電漿處理過后的硅晶片，電漿的光譜訊息和硅晶片表面特性是有關(guān)連性的，在放電管中改變放置位置以及在氫氣電漿中添加不同比例的氦氣可以改變硅晶片表面之親水性。簡(jiǎn)單討論滴在硅晶片表面的水滴面積和接觸角之間關(guān)系。我們從觀察電漿溫度以及硅晶片表面對(duì)水的親水性，在這里硅晶片用來測(cè)定電漿情況，就如同化學(xué)實(shí)驗(yàn)中常利用石蕊試紙來測(cè)量酸鹼性一樣，用來觀察電漿的改質(zhì)特性。

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