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四氯化硅氫還原法制取高純硅的化學(xué)原理

文章出處:責(zé)任編輯:人氣:-發(fā)表時(shí)間:2022-10-13 10:07:00【

 工業(yè)粗硅氯化生產(chǎn)四氯化硅

目前,四氯化硅的工業(yè)處理工藝一般為直接氯化工藝,即工業(yè)硅在加熱條件下與氯直接反應(yīng)生成四氯化硅。在工業(yè)上常用的不銹鋼(或石英)氯化爐中,硅鐵被裝入氯化爐。氯從氯化爐底部引入,當(dāng)加熱到200~300℃時(shí),反應(yīng)開(kāi)始產(chǎn)生SiCl4?;瘜W(xué)反應(yīng)如下:

Si-2Cl2、SiCl4

生成的SiCl4以氣體狀態(tài)從熔爐上部轉(zhuǎn)移到電容器,以液體狀態(tài)冷卻,然后流入儲(chǔ)罐。

在生產(chǎn)中,氯化溫度一般控制在450~500℃,一方面可以提高生產(chǎn)率,另一方面可以保證質(zhì)量。因?yàn)闇囟鹊蜁r(shí)反應(yīng)速度慢,副產(chǎn)物Si2Cl6、Si3Cl8等。會(huì)影響產(chǎn)品純度。然而,如果溫度過(guò)高,其他非揮發(fā)性雜質(zhì)也會(huì)隨SiCl4蒸發(fā)成硅鐵、氯化物,這會(huì)降低SiCl4的純度。

2) 蒸餾法提純四氯化硅

四氯化硅通常含有鐵、鋁、鈦、硼、磷等雜質(zhì),但這些雜質(zhì)可以通過(guò)蒸餾去除。原理是根據(jù)四氯化硅的不同沸點(diǎn)和具有不同蒸發(fā)能力的雜質(zhì),通過(guò)控制溫度,可以將SiCl4從雜質(zhì)中分離出來(lái)。

(3) 純四氯化硅的氫還原

通過(guò)蒸餾提純的四氯化硅和高純度氫在高溫還原爐中還原為高純度硅。反應(yīng)如下:

SiCl4+2H2=Si+4HCl↑

實(shí)際答案相對(duì)復(fù)雜。由于SiCl4的氫還原速率低于SiHCl3氫還原法,因此目前對(duì)高純硅使用的SiCl4氫還原法較低。